简报评价
微晶+低银耗技术已具备产业化条件
今年2月初,公司收到2家产线客户发来的驻厂调研需求,签订保密协议后,产线客户各派技术团队进驻工厂,对异质结微晶化的掺杂层工艺技术及相应PECVD设备、低银耗工艺和异质结电池量产线的运行进行跟线、取样检测及现场调研,根据调研结果撰写了《驻厂调研简报》。
据悉,2家产线客户均是行业知名企业,在前期充分技术交流的基础上,客户对公司微晶化的掺杂层工艺技术及相应的PECVD设备兴趣浓厚,并于2月中旬与下旬分别派出技术团队进行为期3天的驻厂调研。
简报评价
微晶+低银耗技术已具备产业化条件
1.金石能源微晶化的掺杂层工艺PECVD设备实现了稳定的生产,在行业内具有突破性;
2.微晶化的掺杂层工艺PECVD设备运行平稳,产品良率和产品平均转换效率均达到了厂商标注的阈值区间;
3.低银耗技术具有创新性,根据披露的方案,低银耗技术降低了50%的低温银浆使用量,每瓦银浆消耗量仅13mg,远低于行业的每瓦28mg消耗量;
4.取样产品检测结果显示,金石能源使用低银耗技术生产的电池产品转换效率的分布,与未使用低银耗技术的电池产品没有明显差异;
5.微晶工艺加低银耗技术的方案,在设备、技术和成本各项指标上均达到了行业较高水准,技术成果可快速实现产业化。
量产微晶HJT电池
大腔室PECVD更具优势
微晶掺杂层的异质结电池的转换效率比非晶掺杂层电池的高出0.5%,微晶异质结电池的量产重中之重在于PECVD设备。2020年开始,公司逐步将微晶工艺导入自主研发的PECVD设备,完成了微晶掺杂层工艺的研发工作,在具备成熟异质结电池微晶工艺基础上,推出微晶化的掺杂层工艺PECVD设备。
微晶化的掺杂层工艺PECVD设备采用“大腔室、大产能”设计,沉积膜均匀性更好、精度更高,相应的产品良率也更高,且单机产能大,设备利用率高,更容易实现大产能。PECVD设备采用I+IN+P构造,腔室之间气体不会交叉污染,工艺稳定性高;模块化的设计可连续在线镀膜、连续生产,保证了产线运行的稳定性和产能的持续提升。
经过前期的大量工艺改进和设备调试验证工作,目前公司微晶异质结电池已经具备量产能力。
专利低银耗技术
背面PVD镀铜层工艺
低银耗技术采用“正面银浆、背面镀铜”方案,与常规的“银包铜”工艺完全不同,背面采用PVD在线真空镀铜,避免了电镀铜工艺的环保压力,且成本与电镀铜工艺相当,栅线电极成本可降至每瓦0.09元,而常规双面低温银浆印刷电极的成本是每瓦0.2元。低银耗技术可显著降低成本,再结合120微米薄片硅片,低银耗HJT电池成本已与PERC电池相当。